东芝传年内量产3DFlash技术更胜三星【AG手机客户端】

日期:2021-06-23 01:42:01 | 人气: 29491

本文摘要:三星电子(SamsungElectronics)领先全球同业、于去年10月先行量产3D架构的NAND型快闪存储器(FlashMemory)产品,但三星的领先优势惧保持没法多久,因为三星NANDFlash仅次于竞争对手东芝(Toshiba)爆出将在今年下半年量产3DNANDFlash、且其生产技术更加败三星一筹!  日本媒体产经新闻25日报导,三星于去年量产的3DNANDFlash产品为横向填充32层,但东芝已研发出有打破三星的生产技术、可填充48层,且东芝计划于今年下半年利用旗下四日市工厂开始量产上述48层架构的3DNANDFlash产品。

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三星电子(SamsungElectronics)领先全球同业、于去年10月先行量产3D架构的NAND型快闪存储器(FlashMemory)产品,但三星的领先优势惧保持没法多久,因为三星NANDFlash仅次于竞争对手东芝(Toshiba)爆出将在今年下半年量产3DNANDFlash、且其生产技术更加败三星一筹!  日本媒体产经新闻25日报导,三星于去年量产的3DNANDFlash产品为横向填充32层,但东芝已研发出有打破三星的生产技术、可填充48层,且东芝计划于今年下半年利用旗下四日市工厂开始量产上述48层架构的3DNANDFlash产品。NANDflash多用作智能机、平板等行动装置,电源重开后,储存内容也会消失。  报导认为,东芝所将量产的3DNANDFlash产品存储容量较现行产品呈现出大幅度提高、且也将打破三星的产品。

据报导,三星于去年量产的3DNANDFlash产品爆出不良率偏高、且利润不欠佳,而东芝虽面对某种程度的问题,但因已奠定了生产技术、故已要求展开样品销售。  据报导,东芝和三星均计划于数年内研发出有容量约1Tb(Terabit;1Tb=1,000Gb)的3DNANDFlash产品,而一旦构建,就可在智能手机储存低约数十小时的4K影片。

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  根据市调机构TrendForce发布的资料表明,2014年第四季三星NANDFlash全球市占率为27.9%、位居首位,其次分别为东芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SKHynix的11.4%。


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